特許

J-GLOBAL ID：200903059926974815

半導体装置およびその製造方法

発明者： 島内 一文
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071523
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270460
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 汚染物質による不純物拡散領域の表面への悪影響を排除することで、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 不純物注入領域41に、ボロンおよびヒ素をイオン注入し、その後、酸素(O2)雰囲気中で加熱する。この加熱より、注入されたボロンおよびヒ素が拡散され、エピタキシャル成長層40の上部に、P型拡散領域44およびソース領域Sが形成される。また、P型拡散領域44、ソース領域SおよびゲートGを覆うように、熱酸化膜46が形成される。熱酸化膜46は組織が緻密で厚い膜であるから、製造工程の途中で当該熱酸化膜46に付着した汚染物質が、熱や電界等の影響により熱酸化膜46の中を移動しても影響がかなり低減できる。したがって、汚染物質がP型拡散領域44やソース領域Sなどに到達してD-MOSFETの機能を阻害するという可能性は極めて低い。

請求項（抜粋）：

ゲートに対して位置決めされた不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法であって、基板の半導体領域の上部に、ゲート酸化膜を介してゲートを形成し、ゲートをマスクとして、前記半導体領域のうちゲートで覆われていない領域である不純物注入領域に不純物を注入し、酸素の存在下で加熱することにより、不純物注入領域に注入された不純物を熱拡散して前記不純物拡散領域を形成するとともに、不純物拡散領域の上部に当該不純物拡散領域の表面を保護する熱酸化膜を形成すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 658 J