特許

J-GLOBAL ID：200903059932401916

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110307
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264527
出願日： 1990年10月29日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】 界面特性の優れた酸化珪素膜を形成する。【解決手段】 ガラス基板(11)上にSiO2膜(12)をマグネトロン型RFスパッタ法により反応ガスとして、O2/NF3 (95体積%/5体積%)を使用して、シリコンをターゲットに使用して成膜する。その上にチャネル形成領域となるa-Si膜(13)を100nmの厚さに成膜し、整形し、熱結晶化して、結晶性の高い珪素半導体層を形成する。次に、酸化珪素膜(SiO2)(15)を100nmの厚さにマグネトロン型RFスパッタ法により、反応ガスとしてO2/NF3 (95体積%/5体積%)を使用し、ターゲットとしてシリコンターゲットまたは合成石英のターゲットを使用する。SiO2膜を成膜する際に、ハロゲン元素を含む気体を酸化物気体に対し2〜20体積%同時に混入することにより、SiO2膜に不本意で導入されるアルカリイオンの中和、珪素の不対結合手の中和が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化珪素膜から成る絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に非単結晶半導体から成る半導体装置の活性層を形成する工程とを有し、前記絶縁膜はスッパタにより成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 21/316 Y ,  H01L 21/322 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-109377
  
• 特開昭58-182816
  
• 特開平2-090568
  
• 特開平1-313943