特許
J-GLOBAL ID：200903059932727641
半導体素子の取り外し方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129663
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338545
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 マルチチップモジュールでの不良チップの取り外しを、近隣の良品チップに熱的ダメージを与えることなく、スムーズに行う。【構成】 レーザ発振装置5から発光されたレーザ光11を複数の光ファイバ6で不良チップ1の周辺に導き、レーザ光導入路9から反射ミラー10に入射し、反射ミラー10で約90度曲げて、不良チップ1と回路基板3との隙間から、接続バンプ2に照射,加熱し溶融する。不良チップ1の裏面に真空排気用の吸引穴8を設けた吸引チャック器7を押し付けてチャッキングし、不良チップ1を取り外す。
請求項（抜粋）：
複数個の半導体素子が互いに接近して実装された回路基板から不良半導体素子を取外すに際し、基板上に接合している不良半導体素子の接続バンプにレーザ光を照射し、これを溶融し、不良半導体素子を回路基板から取り外す半導体素子の取り外し方法であって、レーザ光の照射は、レーザ光の照射光路を回路基板の表面に対し平行な方向に切替え、回路基板と不良半導体素子との隙間を通して不良半導体素子の周辺部から素子の内側に向け、直接接続バンプに照射を行うものであり、不良半導体素子の取り外しは、不良半導体素子の上面を真空吸着し、上方に引き上げて行うものであることを特徴とする半導体素子の取り外し方法。
IPC (5件)：
H01L 21/60 321
, B23K 26/00 320
, B23K 31/02 310
, H01L 21/68
, H01L 23/50
