特許

J-GLOBAL ID：200903059933923460

プラズマエッチング装置用シリコン電極

発明者： 下司 猛 ,  高谷 勝
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073955
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274068
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 応力集中による割れを回避してシリコン電極の寿命を長くし、加工ダメージ及びコンタミネーションの除去がなされ得るプラズマエッチング装置用シリコン電極を提供すること。【構成】 プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えた、プラズマエッチング装置用のシリコン電極体において、シリコン電極体1を、装置に固定される保持体11と、複数の細孔3,3を穿設したガス孔板12とで構成し、ガス孔板12を保持体11に対しシリコン製の結合体13で固定したプラズマエッチング装置用シリコン電極である。更に、ガス孔板を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、細孔3,3の端縁の稜部2の角2aが除去されているプラズマエッチング装置用シリコン電極である。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えた、プラズマエッチング装置用のシリコン電極体において、前記シリコン電極体を、装置に固定される保持体と、前記複数の細孔を穿設したガス孔板とで構成し、前記ガス孔板を前記保持体に対しシリコン製の結合体で固定したことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン電極。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/24 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 1/24 ,  C23F 4/00 Z