特許
J-GLOBAL ID：200903059936431232
強誘電体素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055772
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245525
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜を用いて、高いPrおよび小さなEcを持つ集積度の高い強誘電体素子を提供する。【解決手段】ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜で、結晶格子を構成するA,Bサイト,分極を発生するCサイトにイオン半径の異なる元素を組み合わせることで結晶格子に任意の大きな歪みを与え、その結果高い自発分極および小さな抗電界を有する強誘電体薄膜を電極で挟んだ構造の強誘電体素子として活用することができる。【効果】読み出しおよび書き込みを検出する高集積度な強誘電体素子,メモリーセルを実現できること。
請求項（抜粋）：
上部電極と強誘電体薄膜と下部電極とを有する強誘電体素子であって、該強誘電体薄膜がペロブスカイト構造であり、かつ【化1】A=Tl,Hg,Ce,Y,Pr,Nd,Pm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,LuB=Bi,Pb,Ca,Sr,Baの少なくとも1種以上C=Ti,Nb,Ta,W,Mo,Fe,Co,Cr,Zrのなくとも1種以上y=2,3,4,5なる組成を有することを特徴とする強誘電体素子。
IPC (13件)：
H01B 3/00
, C01G 23/00
, C01G 25/00
, C01G 29/00
, C01G 33/00
, C01G 35/00
, C01G 37/00
, C01G 39/00
, C01G 41/00
, C01G 49/00
, C01G 51/00
, G01J 5/02
, H01B 5/14
H01B 3/00 F
, C01G 23/00
, C01G 25/00
, C01G 29/00
, C01G 33/00
, C01G 35/00 C
, C01G 35/00 B
, C01G 37/00
, C01G 39/00
, C01G 41/00
, C01G 49/00
, C01G 51/00
, G01J 5/02 P
, H01B 5/14 A
