特許
J-GLOBAL ID：200903059949582957
高透磁率高飽和磁束密度Ni系フェライト磁心とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176116
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017617
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 Ni-Zn系フェライトにおいて、透磁率と飽和磁束密度が大きく、スイッチング電源等のトランスとして小型化に有利なフェライト磁心を提供する。【構成】 Ni-Zn系フェライトにおいて、空孔率が1〜5%であり、透磁率(μi)と飽和磁束密度(Bm〔mT〕、測定磁界が1600A/mの時の磁束密度)の関係が、Bm≧-197.73×log(μi)+990であることを特徴とする高透磁率高飽和磁束密度Ni系フェライト磁心。
請求項（抜粋）：
Ni-Zn系フェライトにおいて、空孔率が1〜5%であり、透磁率(μi)と飽和磁束密度(Bm〔mT〕、測定磁界が1600A/mの時の磁束密度)の関係が、Bm≧-197.73×log(μi)+990であることを特徴とする高透磁率高飽和磁束密度Ni系フェライト磁心。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 1/34 A
, C04B 35/30 Z
