特許

J-GLOBAL ID：200903059950731508

半導体装置の絶縁膜の平坦化方法

発明者： 梅田 浩司 ,  金岡 竜範
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-083395
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067607
出願日： 1991年03月20日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置のBPSG膜を比較的低温,短時間で効果的にリフローできる半導体装置の絶縁膜の平坦化方法を得る。【構成】 半導体装置の基板上の凹凸面上に形成された絶縁膜を熱フローにより平坦化する方法において、上記熱フローを酸素又は、水蒸気を含む雰囲気中において3atm 以上の圧力下で行う。【効果】 絶縁膜に拡散する酸素量及びその拡散速度が増大し、従来に比し低温でかつ短時間でBPSG膜の良好なリフローを実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の基板上の凹凸面上に形成された絶縁膜を熱フローにより平坦化する方法において、上記熱フローを酸素を含む雰囲気中において3atm 以上の圧力下で行うことを特徴とする半導体装置の絶縁膜の平坦化方法。