特許
J-GLOBAL ID：200903059957809650
基板加熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 仁義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-336592
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181150
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】この発明は、半導体若しくはLCDの生産に於いて、赤外線ランプによる放射加熱若しくは高周波により誘導加熱する基板の加熱処理方法に於いて、昇降温速度を速くし、しかも十分な再現性が得られる基板の加熱処理方法を提供することを目的とする。【構成】この発明に於いては、サセプタ-を多孔質ガラス状カ-ボンで形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チャンバ内でサセプタ-上の処理基板を赤外線ランプで放射加熱するか、或は高周波により誘導加熱する基板の加熱処理方法に於いて、前記サセプタ-を多孔質ガラス状カ-ボンで形成したことを特徴とする基板の加熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324
, H01L 21/205
, H01L 21/26
, H01L 21/68
