特許

J-GLOBAL ID：200903059957910041

半導体レーザー装置の製造方法

発明者： 大西 俊暢
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-146988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344082
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 生産効率よく安定した電流狭窄効果が得られ、低発振閾値化が可能な半導体レーザーの製造方法を提供する。【解決手段】 (a)に示すように、半導体レーザ構造を形成し、(c)のプロトン注入を経て(d)において、P-電極10を形成する。次に(e)において、n-GaAs基板1の裏にn電極13を形成する。そして、RTA(Rapid Thermal Anealing)を行う。この時のアニール条件は、昇温速度10°C/sec、アニール温度375°C、アニール時間30secであった。このアニール条件は、p電極アニール、n電極アニール、結晶回復アニールを同時に満たす条件である。SIMSで分析したところ、プロトンの移動は殆ど見られなかった。そのため、活性層上の絶縁領域が保持され、電流狭窄効果が得られるので、低電流動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順に形成された第1の導電型のクラッド層、活性層、第2の導電型のクラッド層、第2の導電型のコンタクト層を少なくとも含む多層膜からなる半導体レーザー構造をエピタキシャルに形成する工程と、所定形状のマスクを形成してイオン注入する工程と前記所定形状のマスクを除去し、前記半導体レーザー構造の表面に電極となる金属層を形成する工程と、前記金属層の表面に所定のパターンのマスクを形成する工程と、前記所定のパターンのマスクを用い、前記金属層をエッチングする工程と、前記半導体基板の裏面に電極となる金属層を形成した後、RTA(RapidThermal Annealing)による熱処理を1回のみ行う工程とを含むことを特徴とする半導体レーザーの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/10

FI (3件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/10

Fターム (12件)：

5F073AA08 ,  5F073AA61 ,  5F073AA66 ,  5F073AA74 ,  5F073CA05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23