特許

J-GLOBAL ID：200903059960640128

デバイス製造方法、システムおよび装置

発明者： 笠井 維志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287484
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100584
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 塗布・露光・現像装置に代表されるフォトリソグラフィ装置、およびレジストパターン線幅測定を行う外部計測装置等からなる、半導体製造ラインにおいて、特に新たな専用の計測装置等を用いなくても、条件出しに用いられているデータを活用し、塗布・露光・現像装置間で実動作に関する情報を、共通で使用可能な線幅データに変換することで、各工程処理装置での補正値数値を簡略化し、補正処理および管理を容易にする。【解決手段】 塗布・露光・現像条件を振り、それぞれの処理条件が変化した際の処理結果を線幅測定器により検定し、塗布・露光・現像処理の依存関係を求め、その結果を保持する。また、各装置自身が実際の実行結果を基に指定された指示値との差分を算出する手段からの結果を、線幅変動の値に換算して出力する。さらに、前工程での変動分を線幅変動の値として取得し、装置設定に反映させる。

請求項（抜粋）：

感光剤塗布装置および現像装置の少なくとも一つと露光装置とを用いた製造ラインを用いて微細パターンを有するデバイスを製造する方法であって、前記装置のうち、より前の工程で用いられる方の装置である第1の装置における処理実行結果の所定の処理条件からの相違が前記パターンの線幅に与える影響を示す線幅情報を求め、この線幅情報に基づいてより後の工程で用いられる方の装置である第2の装置の処理条件を補正することを特徴とするデバイス製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 501 ,  G03F 7/30 501

FI (7件)：

G03F 7/16 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 501 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/30 562 ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 514 E

Fターム (25件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096BA20 ,  2H096CA12 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA21 ,  2H096LA16 ,  5F046AA17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA29 ,  5F046DB04 ,  5F046DD03 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18