特許
J-GLOBAL ID：200903059963253974
化合物半導体結晶の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234953
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094423
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、熱クリーニングによる基板表面の荒れを防ぎ、また酸素および炭素の残留を防ぐことによって、平坦な高品質界面をつねに安定して得ることが可能な化合物半導体結晶の成長方法を提供することである。【構成】 本発明にもとづく化合物半導体結晶の成長方法は、構成元素としてアルミニウムを含む化合物半導体結晶基板上にアルミニウムを含まない化合物半導体結晶を成長させて50nm以下の薄層を形成する第一工程と、薄層が形成された結晶基板の大気中への取り出しおよび(または)加工処理を行う第二工程と、プラズマクリーニングによって結晶基板の表面を清浄化しつつ上記薄層をエッチングする第三の工程とが、少なくとも含まれることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体結晶の成長方法において、構成元素としてアルミニウムを含む化合物半導体結晶基板上にアルミニウムを含まない化合物半導体結晶を成長させて50nm以下の薄層を形成する第一の工程と、前記薄層が形成された結晶基板の大気中への取り出しおよび(または)加工処理を行う第二の工程と、気相状態にある物質の少なくとも一部をマイクロ波電子サイクロン共鳴により励起し、該励起物質を、前記結晶基板上に発散磁界により輸送し、この輸送された前記励起物質により前記結晶基板の表面を清浄化しつつ、前記薄層をエッチングする第三の工程とが、少なくとも含まれることを特徴とする化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, C30B 29/40 502
, H01L 21/203
