特許
J-GLOBAL ID：200903059970555226
半導体素子のバンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-092470
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144818
出願日： 1991年04月24日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子のバンプ形成方法にあたり、マスクを用いることにより、簡単な工程でもって優れた半導体素子のバンプ形成を行う。【構成】 半導体素子のバンプ形成方法において、回路基板11に回路基板電極12を形成し、その上にマスク治具13をセットし、該マスク治具13を用いて真空蒸着、CVD、スパッタリング、MBE等で成膜し、回路基板電極12上に堆積させることによりバンプ14を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)回路基板に基板電極を形成する工程と、(b)その上にマスク治具をセットする工程と、(c)該マスク治具を用いて堆積により前記基板電極上にバンプを形成する工程とを施すことを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。
引用特許：
前のページに戻る
