特許
J-GLOBAL ID：200903059973168231
半導体搭載用基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094849
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】バンプの高さ、組成等のばらつきを無くして、フリップチップボンディングの信頼性を向上する。【構成】セミアディティブ法による半導体搭載用基板の製造方法:AlN基板1の表面にCu薄層2を形成する工程、Cu薄層2上に導体パターン及びパッド形成用開口部3を有する第1のメッキレジスト層4を形成し、パターンメッキを施して導体パターン及びパッド5を形成する工程、パッド形成用開口部3と厚さ方向に連通するバンプ形成用開口部6を有する第2のメッキレジスト層7を形成し、次に電解メッキを施してパッド5上にバンプ8を形成する工程、第1及び第2のメッキレジスト層4,7を除去し、エッチングを施して導体パターン及びパッド5と対応する部分以外のCu薄層2を除去し、所定の箇所をソルダーレジストで被覆する工程。
請求項（抜粋）：
セミアディティブ法による半導体搭載用基板の製造方法であって、絶縁基材の表面に金属薄層を形成し、同金属薄層上に導体パターン及びパッド形成用の開口部を有するメッキレジスト層を形成した後、パターンメッキを施して導体パターン及びパッドを形成し、次に、パッド形成用の開口部と厚さ方向に連通するバンプ形成用の開口部を有するメッキレジスト層を形成し、次に電解メッキを施してパッド上にバンプを形成した後、全てのメッキレジスト層を除去し、その後、エッチングを施して導体パターン及びパッドと対応する部分以外の金属薄層を除去し、所定の箇所を絶縁材で被覆するようにしたことを特徴とする半導体搭載用基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/18
, H01L 21/60 311
, H05K 3/24
