特許

J-GLOBAL ID：200903059975417425

薄膜の加工方法

発明者： 宮本 明人 ,  森本 廉 ,  田中 英行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308226
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146500
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】相変化型メモリデバイスの製造において、その加工技術、微細化に優れた製造技術、特にメモリ層に用いられるカルコゲン元素を含んだ化合物層の物理化学的エッチング技術が要求される。本発明の目的は、相変化型メモリデバイスの製造工程において、相変化層、特にカルコゲン元素を含んだ薄膜層の加工方法を提供するものである。【解決手段】カルコゲン元素を少なくとも一種含む化合物層を反応性エッチングする方法において、反応性ガスが、少なくとも一種以上のフッ素系ガスを含むガスから選ばれることを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

カルコゲン元素を少なくとも一種以上含む薄膜層を反応性ガスを用いてドライエッチングする方法において、反応性ガスが、少なくとも一種以上のフッ素系ガスを含むガスから選ばれる事を特徴とするカルコゲナイド薄膜の加工方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L27/10

FI (2件)：

H01L21/302 104Z ,  H01L27/10 451

Fターム (11件)：

5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03