特許
J-GLOBAL ID：200903059978310010
光起電力装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323748
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183553
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【構成】 非晶質シリコンを用いた太陽電池である光起電力装置の分割パターン形成をレーザー光加工と表面エッチング処理を組み合わせることにより、光起電力装置を製造する方法。【効果】 本発明により、従来技術では困難で、精密制御我必要であったパターン形成技術を容易かつ安定的プロセスにし、かつ非晶質太陽電池の変換効率を向上させることが可能となった。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に透明電極、p型の導電性半導体薄膜、実質的に真性の半導体薄膜、n型の導電性半導体薄膜、金属性電極からなる積層型の光起電力装置であって、複数の光起電力素子を精密に配列、配置させた光起電力装置の多数配置する製造方法において、金属性電極を分離・分割するための、レーザー光を用い、該金属性電極に分割パターンを描画した後、該金属性電極表面をエッチング処理して、分割パターンを形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
IPC (2件)：
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