特許

J-GLOBAL ID：200903059980933326

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 岡田 健
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379676
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142474
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 動作電流が大きく、且つON/OFF比が大きい新規な構成の電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 少なくとも支持基板1、ソース電極5、ドレイン電極6、半導体層7、絶縁層3およびゲート電極2を有し、前記半導体層として有機物を用いた電界効果型トランジスタにおいて、前記ソース電極5およびドレイン電極6が同一平面内に形成され、少なくとも半導体層7にて電気的に接続されている箇所におけるソース電極-ドレイン電極間の幅が半導体層7の膜厚方向において異り、且つ前記ソース電極-ドレイン電極間の幅の短手a側にゲート電極2が設けられている電界効果型トランジスタ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも支持基板、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、絶縁層およびゲート電極を有し、前記半導体層として有機物を用いた電界効果型トランジスタにおいて、前記ソース電極およびドレイン電極が同一平面内に形成され、少なくとも半導体層にて電気的に接続されている箇所におけるソース電極-ドレイン電極間の幅が半導体層の膜厚方向において異り、且つ前記ソース電極-ドレイン電極間の幅の短手側にゲート電極が設けられていることを特徴する電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M

Fターム (49件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF09 ,  4M104GG09 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076201   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション