特許

J-GLOBAL ID：200903059981743997

MOSトランジスタの多層ゲート電極の製造方法

発明者： ウド シユワルケ ,  ヘルムート ヨスウイツヒ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173248
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007151
出願日： 1991年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 ドープされたポリシリコン及び金属珪化物を含む多層ゲート電極の金属珪化物を製造する際ポリシリコンのドーパント減少を回避する。【構成】 ゲート酸化物層3を備えた基板1上に、ドープされたポリシリコン構造4a、拡散障壁構造5a及びシリコン構造6aを含む多層構造7を作り、多層構造7の側面に被覆8を設け、多層構造7を有する基板1上に金属層10を設け、熱処理により金属層10及びシリコン構造6aから金属珪化物構造12を作り、拡散障壁構造5aはドーパントがポリシリコン構造4aから金属珪化物構造12に拡散するのを阻止する材料から作る。

請求項（抜粋）：

a) ゲート酸化物(3)を備えた基板(1)上に、多層ゲート電極(13)に対し予め設定された箇所に多層構造(7)を作り、この多層構造が基板(1)上にドープされたポリシリコン構造(4a)、その上に拡散障壁構造(5a)、更にその上にシリコン構造(6a)を含み、b) 多層構造(7)の側面に側面被覆(8)を形成し、c) 多層構造(7)を有する基板(1)上に金属層(10)を設け、d) 熱処理により金属層(10)及びシリコン構造(6a)から金属珪化物構造(12)を作り、e) 拡散障壁構造(5a)を、ドーパントがポリシリコン構造(4a)から金属珪化物構造(12)に拡散するのを阻止する材料から作ることを特徴とするMOSトランジスタの多層ゲート電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-111466
  
• 特開昭61-276317