特許
J-GLOBAL ID：200903059983197418

インダクタ及びインダクタの製造方法

発明者：
池上 稔

池上 稔 について

, 
宮坂 仁男

宮坂 仁男 について


出願人/特許権者：
コーア株式会社

コーア株式会社 について


代理人 (1件)： 丸山 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068531
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【目的】 部品構成数および製造工程数を減らしてコストダウンを実現しつつ低背かつ小型でしかも漏れ磁束の少ない閉磁回路構造を構成でき、高許容電流、高L値かつ低ノイズのインダクタを提供する。可能とする。【構成】 巻軸7とその両端に一体成形された上鍔8及び9を有し、ポリウレタン被覆導線を巻回してコイル6を形成したドラムコア2を、両端部外側に電極3を形成し、中央部にドラムコア2を収納可能な凹部を有するカバー1の凹部内にドラムコア2が位置決め収納されるように被せて固着し、被覆導線端部から導出するリード線5をカバー1の凹部両側に形成された凹溝4を介して電極3に接続する。
請求項（抜粋）：
両側面に一体成形された上鍔8及び下鍔9を有するドラムコア2と、前記ドラムコア2の前記上鍔8及び下鍔9間に巻回されたコイル6と、前記ドラムコア2を位置決め収納可能な収納部を有するカバー部1と、前記カバー1の少なくとも基板実装面端部より両側面にかけて導電材料で形成される電極3と、前記コイル6端部と前記電極3間を接続するリード線5とを備えることを特徴とするインダクタ。
IPC (2件)：
H01F 17/04 ,  H01F 41/00
FI (2件)：
H01F 17/04 N ,  H01F 41/00 C
Fターム (5件)：
5E070AA01 ,  5E070BA03 ,  5E070DA03 ,  5E070DB06 ,  5E070EB00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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