特許
J-GLOBAL ID：200903059986013032
実際の半導体ウェーハ工程のトポグラフィーに合わせた位置合せ測定システムの直接的校正のための構造および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181155
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体プロセスにおいて用いられる位置合わせ測定システムを校正するための校正構造を提供する。【構成】 この校正構造は、少なくとも1つのゼロオフセット位置合せ構造と、複数の非ゼロオフセット位置合せ構造とを含む。ゼロ位置合せ構造の変位を0°と180°とに測定することにより、位置合せ構造システムのツール誘導シフトを求めることができる。そして、ゼロオフセット位置合せ構造の変位を、0°、90°、180°および270°において測定することによって、最初のTIS判定が確かめられ、非点収差があるかないかが確定される。TISおよび非点収差が起きている場合は、ゼロおよび非ゼロの両方の位置合せ構造の総てを、0°の角方向位置において測定して、測定値における系統誤差を求める。これらの誤差を求めてから、これらの誤差を軽減するために、位置合せ測定システムを校正する。
請求項（抜粋）：
位置合せ測定システムを校正するのに用いられる校正構造において、前記校成構造は、集積回路製造プロセスステップによって形成され、且つ基板上形成され且つ前記基板によって一般的に定義される平面の垂線上の点からみるところの第1のパターンと第2のパターンとを有する第1の位置合せ構造であって、前記第1および第2のパターンのそれぞれが中心を有し、前記第1および第2パターンの各中心間の変位が、前記集積回路製造プロセスステップによって誘導される何らかのミスアライメントがないとしてゼロとなるように選択されている前記第1の位置合せ構造と、前記基板上に形成され且つ互いに対しておよび前記第1位置合せ構造に対して離間した関係で前記基板上に配置される複数の第2の位置合せ構造であって、前記第2位置合せ構造のそれぞれが第3パターンおよび第4パターンを有し、前記第3および第4パターンのそれぞれが中心を有し、前記第3パターンのそれぞれとそれに対応する第4パターンとの中心間の変位が、前記集積回路製造プロセスステップによって誘導される何らかのミスアライメントがないときに、所定の大きさおよび所定の方向のものとなるよう選択される前記複数の第2位置合せ構造とを含むことを特徴とする前記校正構造。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
H01L 21/30 301 M
, H01L 21/30 311 M
