特許

J-GLOBAL ID：200903059989471643

誘電体薄膜の製造方法およびその製造装置

発明者： 李 効 民
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246192
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061419
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【課題】 誘電体薄膜形成時に基板などが受けるダメージを軽減でき、品質の良い誘電体薄膜を形成することができ、しかも通常のプラズマCVD装置を流用しての実現が容易な、誘電体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】 基板Sが下部電極14上に載置され、反応容器12内を所定の減圧状態に保持しつつ、ヒータ16によって加熱され、所定温度に保持される。気化器で気化させて得られた原料ガスはO2 ガスと混合された後、基板Sへ向かって供給される。これと並行して、グリッド電極20には、所定の電位が印加され上部電極18に高周波電圧を印加することにより、上部電極18とグリッド電極20との間にプラズマを発生させる。こうして、原料ガスを分解・反応させて基板S上に反応生成物を堆積させることにより誘電体薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

反応容器、前記反応容器内に配設され接地された下部電極、前記反応容器内において前記下部電極と対向して配設され高周波電源に接続された上部電極、および前記反応容器内において前記下部電極と前記上部電極との間に配設され外部電源に接続されたメッシュ電極を含む平行平板型プラズマCVD装置を用いた誘電体薄膜の製造方法であって、前記下部電極上に基板を載置し、前記上部電極と前記メッシュ電極との間に放電して原料ガスのプラズマを発生させ、前記プラズマを前記メッシュ電極を通過させて前記基板上へ飛翔させて、350°C以下の成膜温度において前記基板上に酸化チタン薄膜を誘電体薄膜として形成する、誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/40 ,  H01C 10/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/40 ,  H01C 10/32 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X