特許

J-GLOBAL ID：200903059991354689

半導体光素子および半導体光素子の端面形状の形成方法

発明者： 山田 光志 ,  村井 仁 ,  小川 洋
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117251
公開番号（公開出願番号）：特開平7-325230
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 迷光の影響を抑制することができる半導体光素子の提供。【構成】 半導体基板10上に、下側クラッド層12、光吸収層14、上側クラッド層16を具え、吸収層14の上下をクラッド層で挟んで光導波路18を構成している。さらに、光導波路18の両側には、横埋込み層20を設けてある。また、上側クラッド層16上には、オーミックコンタクト層22を具えている。そして、この半導体光素子は、光導波路の入射端面の下側に、この入射端面と連続した面であって、この入射端面よりも外側に傾斜した形状の傾斜面を具えた端面形状を有している。

請求項（抜粋）：

半導体光素子の光導波路の入射端面の下側に、該入射端面よりも外側に傾斜した形状の傾斜面を具えた端面形状を有することを特徴とする半導体光素子。

IPC (3件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/015

FI (2件)：

G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M