特許

J-GLOBAL ID：200903059992404230

薄膜形成装置及び薄膜形成方法

発明者： 須藤 崇
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122701
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313958
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリングの際に放出される二次電子(γ電子)が、薄膜が形成される基板に入射する量を低減させ、薄膜へのダメージを低減させる。【解決手段】 スパッタリング法により原子を放出するターゲット8と、この原子により薄膜が形成される基板14の間に磁極板16と磁極板18が配置されている。この磁極板16,18により、ターゲット8と基板14の間に基板14の薄膜が形成される面に平行な磁界が発生している。この磁界により、スパッタリングの際にターゲット8の近傍で発生する二次電子を軌道修正し基板14に到達しないようにすることができる。これによって、二次電子が入射することによる薄膜へのダメージを低減することができる。

請求項（抜粋）：

スパッタリング現象により原子を放出する原子放出機構を有し、放出した該原子を基板に付着させることにより薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原子放出機構の原子放出部位と前記基板との間に、該基板の薄膜が形成される面に平行な磁界を発生する磁界発生機構を有する薄膜形成装置。

Fターム (7件)：

4K029CA06 ,  4K029DA01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA12 ,  4K029DC40 ,  4K029DC43 ,  4K029JA01