特許
J-GLOBAL ID：200903059993212806
電界発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307270
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 カソード形成にフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を導入することができる構造の電界発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 透明電極2Aの上に間欠的に開口部を有する低抵抗電極3Bが形成されてカソード電極が構成され、低抵抗電極3Bの上に膜厚の厚い層間絶縁層5Aが形成されると共に、表示領域全体に有機EL層7が成膜されている。有機EL層7は、低抵抗電極3Bの開口部内で透明電極2Aに接合する部分と層間絶縁層5Aの上に載っている部分とが段差により分離されている。複数のカソード電極8Aどうしは層間絶縁層5Aの上に形成された有機EL層7の上で分離するように加工されている。この加工に際して層間絶縁層5A上の有機EL層7は、発光に供されないためフォトリソグラフィー工程の現像液やリンス液やエッチング工程のエッチャントに晒されても不都合がない。このため、カソード電極のエッジ部で万一剥離が発生したとしても発光に供される有機EL層7まで剥離が進行しない。
請求項（抜粋）：
基板上の発光領域及び非発光領域に設けられた第1導電性膜と、該第1導電性膜上の非発光領域に設けられた第2導電性膜と、該第2導電性膜上に形成された層間絶縁膜と、前記第1導電性膜上の発光領域に設けられた、前記層間絶縁膜より薄い電界発光層と、前記層間絶縁膜上方で離間され、該電界発光層上に設けられた複数の第3導電性膜と、備えることを特徴とする電界発光素子。
IPC (4件)：
H05B 33/26
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/22
H05B 33/26 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
