特許
J-GLOBAL ID：200903059998965861
積層型半導体磁器組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151103
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 内部電極にNi系金属を採用する際に、オーミック接触を損なうことなく低温再酸化処理を行うことができ、ひいては比抵抗を小さくできるとともに、抵抗温度係数を向上できる積層型半導体磁器組成物を提供する。【構成】 半導体セラミック層2と内部電極3とを交互に積層して焼結体4を形成してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器1を構成する場合に、該半導体磁器1のモル比Baサイト/Tiサイトを0.99〜1.05とし、上記Baサイトの一部をCaに換算して5〜40モル%の範囲でCaで置換するとともに、マンガンをMnに換算して0.005 〜1モル%の範囲で添加する。
請求項（抜粋）：
半導体セラミック層と内部電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器組成物において、該半導体磁器のモル比Baサイト/Tiサイトを0.99〜1.05とし、上記Baサイトの一部をCaに換算して5〜40モル%の範囲でCaで置換するとともに、上記半導体磁器にマンガンをMnに換算して0.005 〜1モル%の範囲で含有したことを特徴とする積層型半導体磁器組成物。
引用特許：
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