特許

J-GLOBAL ID：200903060003507830

半導体集積回路の静電保護装置

発明者： 今村 大延 ,  岡村 敏之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017961
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】電力の少ない高周波サージと電力の大きな低周波サージの両方に効果的な静電保護装置を提供する。【構成】応答の遅いコレクタ-ベース間接合ダイオード(3a)と応答の早いエミッタ-ベース間接合ダイオード(10)を並列に信号端子と正電源間に接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部の第1の第1導電型半導体層をコレクタ領域、前記コレクタ領域に形成される第1の第2導電型拡散層をベース領域、前記ベース領域に形成される第1の第1導電型拡散層をエミッタ領域とするバイポーラ・トランジスタ、第1の電源配線及び第2の電源配線を含む内部回路を備えた半導体集積回路の静電保護装置において、前記半導体基板の表面部の第2の第1導電型半導体層を前記第1の電源配線に接続し、前記第2の第1導電型半導体層に形成される第2の第2導電型拡散層を信号端子に接続してなる第1の保護ダイオードと、前記半導体基板の表面部の第3の第1導電型半導体層に形成される第3の第2導電型拡散層を前記信号端子に接続し、前記第3の第2導電型拡散層に形成される第2の第1導電型拡散層を前記第1の電源配線に接続してなる第2の保護ダイオードとを有することを特徴とする半導体集積回路の静電保護装置。

IPC (3件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/06 101 P ,  H01L 27/04 H