特許

J-GLOBAL ID：200903060006641960

薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者： 上泉 裕哉 ,  山川 薫 ,  中根 伸勝
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225937
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054912
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 ウエハー内に形成されている素子部を破壊することなく、高精度でギャップデプス加工が行えるようにする。【解決手段】 薄膜磁気ヘッドの素子部や加工モニタを形成するウエハープロセスで、?@エイペックスを決める絶縁層形成後に、エイペックスとギャップデプス加工の基準となる加工モニタの相対寸法Aを測定し、?Aその測定以降のエッチングによるエイペックス変化量Bをエッチング時間に比例する量として求め、?B保護膜形成直前までの加工モニタの変化量Cを求め、?C前記A-B-Cにより加工モニタの基準位置からエイペックスまでの基準モニタ幅寸法Dを計算して、それにギャップデプス値GDを加算し、その加算値(D+GD)を加工目標モニタ幅寸法としてギャップデプス加工を行う。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板上に、下部磁極、ギャップ膜、絶縁層で挾まれたコイル、上部磁極、保護膜を、この順序で形成した素子部が多数横一列に配列され、それらの両側に加工モニタが配置されている加工ブロックを、該加工モニタの一部を基準としてギャップデプス加工を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法において、素子部及び加工モニタを形成するウエハープロセスで、?@エイペックスを決める絶縁層形成後に、ギャップデプスの基準となるエイペックスとギャップデプス加工の基準となる加工モニタの相対寸法Aを測定し、?Aその測定以降のエッチングによるエイペックス変化量Bをエッチング時間に比例する量として求め、?B保護膜形成直前までの加工モニタの変化量Cを求め、?C前記A-B-Cにより加工モニタの基準位置からエイペックスまでの基準モニタ幅寸法Dを計算して、それに磁気ヘッドとして必要なギャップデプス値GDを加算し、その加算値(D+GD)を加工目標モニタ幅寸法としてギャップデプス加工を行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

IPC (3件)：

G11B 5/31 ,  G11B 5/17 ,  G11B 5/187

FI (3件)：

G11B 5/31 N ,  G11B 5/17 W ,  G11B 5/187 Q