特許
J-GLOBAL ID：200903060013301431
気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182918
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【構成】 有機シランを主原料として、CVD法により被処理物表面に被膜を形成させる気相成長方法において、酸化剤として過酸化水素を含有する雰囲気中で行う。【効果】 400 °C以下の低温、特に300 °CでもLSIの配線間の層間絶縁材料に利用可能な膜が容易に形成できるようになった。
請求項（抜粋）：
有機シランを主原料として、CVD法により被処理物表面に被膜を形成させる気相成長方法において、酸化剤として過酸化水素を含有する雰囲気中で行うことを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3205
