特許
J-GLOBAL ID：200903060014812928
磁気抵抗素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305871
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145141
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は強磁性磁気抵抗素子において、磁気抵抗効果を向上させ、200°Cにて3000時間以上の連続使用を可能にした素子を提供するものである。【構成】 無アルカリ高純度基板1と、前記基板表面に形成されたニッケル合金の強磁性薄膜2と、前記強磁性薄膜2を保護する保護膜3から構成されるものであり、前記強磁性薄膜に高温中で連続通電させるものである。【効果】 以上の構成により、磁気抵抗効果が1%以上向上し、200°Cでの連続使用において、中点電位のドリフトが全く無く、200°Cでの連続使用が可能となる。
請求項（抜粋）：
無アルカリ高純度基板表面にニッケル合金の強磁性薄膜を形成し、高温負荷によるエージングを行うことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
IPC (2件)：
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