特許

J-GLOBAL ID：200903060019266093

X線マスクおよびその製造方法と、該マスクを用いた露光方法

発明者： 巳浪 裕之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011801
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220999
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 T型ゲート電極の製造において、ゲート電極の微細化を達成するために、露光光にX線を使用する場合に適したX線マスクおよびその製造方法と、該マスクを用いた露光方法を得ることを目的とする。【構成】 SiC等で形成されたマスク基板2の上に、X線の吸収係数の高いTa(タンタル)あるいはAu(金)などの金属で吸収体3が形成されている。吸収体3の両端部はX線を完全に遮断するだけの厚みを有し、その厚さt1 は、例えば0.7μmである。また、吸収体3の中央部はX線を一部透過させる厚みを有し、その厚さt2 は、例えば0.2μmである。【効果】 このX線マスクを介してX線を照射すれば、場所によって異なった露光量を得ることができるので、露光量を調整することで所定の露光パターンを得ることができ、X線による解像度の高い露光を行うことができる。

請求項（抜粋）：

X線を吸収し遮断する吸収体によって、所定の露光パターンが形成されたX線マスクにおいて、前記所定の露光パターンは、前記吸収体が設けられた領域と、前記吸収体が設けられていない領域とで構成され、前記吸収体が設られた領域は、前記吸収体を透過するX線の透過量が場所によって異なるように形成されていることを特徴とするX線マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 531 E ,  H01L 29/80 F