特許
J-GLOBAL ID:200903060025308377

発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-173465
公開番号(公開出願番号):特開2005-011944
出願日: 2003年06月18日
公開日(公表日): 2005年01月13日
要約:
【課題】発光装置の大きさを変えることなく発光量を増大させた発光装置を提供する。【解決手段】凹凸基板1の凹凸状表面1a上に半導体層30が形成されていることを特徴とする発光装置。本発光装置においては、凹凸基板および半導体層をAlxGayIn1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)とすること、凹凸基板の凹凸状表面を形成する各々の平面が、Lを1〜4の整数とするときの(11-2L)および(1-10L)の中から選ばれる1以上の面指数を有すること、または凹凸基板の凹凸状表面を形成する各々の平面と基底平面とのなす角度φを35°〜80°とすることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
凹凸基板の凹凸状表面上に半導体層が形成されていることを特徴とする発光装置。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 C
Fターム (3件):
5F041AA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65

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