特許

J-GLOBAL ID：200903060033887483

プラズマ処理装置

発明者： 津 上 芳 三
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012288
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 プラズマによる真空容器のエッチングを防止できると共に、装置の製造コストの増加をもたらすことなく被処理物の大型化に対処することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波導波管15によって導かれたマイクロ波を、誘電体で形成されたマイクロ波透過窓部材14を介して真空容器11内に導入し、真空容器11内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物を処理するプラズマ処理装置である。マイクロ波導波管15には、マイクロ波導波管15内のマイクロ波の進行方向に沿ってスリット16が延設されている。マイクロ波透過窓部材14は、マイクロ波導波管15内のマイクロ波の進行方向に対して直交する方向に延設されている。

請求項（抜粋）：

マイクロ波導波管によって導かれたマイクロ波を、誘電体で形成されたマイクロ波透過窓部材を介して真空容器内に導入し、前記真空容器内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導波管には、前記マイクロ波導波管内のマイクロ波の進行方向に沿ってスリットが延設されており、前記マイクロ波透過窓部材は、前記マイクロ波導波管内のマイクロ波の進行方向に対して直交する方向に延設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B

Fターム (21件)：

4K057DA02 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE20 ,  4K057DM29 ,  4K057DM35 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA13 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26