特許

J-GLOBAL ID：200903060036976770

発光ダイオード

発明者： 倉橋 孝尚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318393
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176788
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 DBRをGaAs基板と下クラッド層との間に設けても高抵抗とならず、高品質なDBRが得られ、かつ電極下での発光を減少させて外部出射効率を高くすることができ、1回のエピタキシャル成長で作製することができる発光ダイオードを提供する。【構成】 GaAs基板1上にDBR2(Distributed Bragg Reflector)が形成され、DBR2上に第1導電型のコンタクト層10、第1導電型の下クラッド層3、アンドープの活性層4、第2導電型の上クラッド層、第2導電型のコンタクト層5がこの順に積層形成されている。DBR2の各層はアンドープとされ、または上部の数層のみが第1導電型とされている。第1導電型のコンタクト層10より上の各層は、第1導電型のコンタクト層10の周辺部を露出して形成され、その露出部の上に第1導電型の電極9が形成されている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上にDBR(Distributed Bragg Reflector)が形成され、該DBRの上に、第1導電型のコンタクト層、第1導電型の下クラッド層、アンドープの活性層、第2導電型の上クラッド層および第2導電型のコンタクト層がこの順に積層形成された発光ダイオードにおいて、該DBRが、アンドープの複数層からなる構成か、または上部の数層のみが第1導電型であり、他の層がアンドープである構成となっており、該第1導電型のコンタクト層より上の各層が、該第1導電型の周辺部を露出して形成され、該第1導電型のコンタクト層の露出部の上に第1導電型の電極が形成されていると共に、該第2導電型のコンタクト層の上に第2導電型の電極が形成されている発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-234183
  
• 面形発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-020489   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-212479
  
• 特開平3-163882