特許
J-GLOBAL ID：200903060038177760
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214997
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078408
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 誘電率が低く、堆積速度の速い安定な層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 電子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコン酸化膜を堆積する半導体装置の製造方法において、シリコン酸化膜を成膜する際に、弗素を含むガス及び窒素を含むガスを含む原料ガスを用いることにより、弗素と窒素を含有したシリコン酸化膜を成膜する
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコン酸化膜を堆積する半導体装置の製造方法において、前記シリコン酸化膜を成膜する際に、弗素を含むガス及び窒素を含むガスを含む原料ガスを用いることにより、弗素と窒素を含有したシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
, H01L 21/768
