特許

J-GLOBAL ID：200903060043397549

インダクタ素子及びその製造方法

発明者： 森 光廣 ,  清水 敏彦 ,  長谷 英一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023717
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222695
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】モノリシックマイクロ波IC用の小型かつ低損失なインダクタ素子を提供する。【構成】比誘電率の高い半絶縁性半導体基板10に入り込む電気力線を低減するために、溝102を掘り、寄生容量である第二の配線金属層13の線間容量C1を大幅に低減する。【効果】広い帯域に渡ってインダクタンスが一定で、低損失のインダクタ素子を作製できる。また、モノリシックマイクロ波ICの高利得化,低消費電力化,広域化ができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたインダクタ素子において、前記インダクタ素子を構成する配線層間の間隙に位置する前記基板を、その一部分の深さまで除去したことを特徴とするインダクタ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04

FI (3件)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B ,  H01F 41/04 C