特許
J-GLOBAL ID：200903060046641432
プラズマドライエッチングの終点検知方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069165
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェハー上の積層メタル配線膜のガスプラズマドライエッチングにおいて、終点判定が安定して行なうための発光スペク曲線を得ることを目的とする。【構成】ガスプラズマからの発光スペクトルをフォトマルチプライアの検知波長範囲300nm〜650nmのフォトマルチプライアが持つ波長帯域で全て受光することにより得られる発光スペクトル強度曲線を用い、安定した終点検知を行う。
請求項（抜粋）：
Ti膜とAl-Si-Cu合金膜とTiN膜とTi膜とによる多層メタル配線層のプラズマドライエッチングの終点検知方法に関し、ガスプラズマ中からの発光スペクトルを波長範囲300〜650nmのフォトマルチプライアがもつ波長帯域で全て受光することにより得られる発光スペクトル強度曲線を用いたことを特徴とするプラズマドライエッチングの終点検知方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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