特許
J-GLOBAL ID：200903060048082937
半導体レーザの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216465
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 活性層およびコンタクト層を含むリッジ部分の幅を精度良く制御することができる、低発振閾値の半導体レーザの製造方法を提供すること。【構成】 n-InGaAs基板40上に、n-InGaPクラッド層42、量子井戸層44、InGaPクラッド層46およびp-GaAsコンタクト層48を順次形成する。次に、エッチングマスク56を介して、H2 SO4 、H2 O2およびH2 Oを4:1:1の割合で混合した液を用いてコンタクト層48をその幅が1〜2μm程度となるようにエッチングする。次に、クラッド層46をHClおよびH2 Oの混合液を用いてエッチングする。次に、量子井戸層44をH2SO4 、H2 O2 およびH2 Oを8:1:100の割合で混合した液を用いてエッチングして活性層62を形成する。次に、リッジ部分の両側に電流ブロック層64を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型GaAs基板上に、第1導電型InGaPクラッド層、量子井戸層、第2導電型InGaPクラッド層および第2導電型GaAsコンタクト層を順次に形成する工程と、該第2導電型GaAsコンタクト層上にスプライト状のエッチングマスクを形成する工程と、該エッチングマスクを介して、第1エッチング液を用いて前記第2導電型GaAsコンタクト層をエッチングし、該エッチングマスクの直下周辺部もサイドエッチングする工程と、該エッチングマスクを介して、第2導電型InGaPクラッド層を第2エッチング液を用いてエッチングする工程と、該エッチングマスクを介して、第1エッチング液よりもGaAsに対するエッチング速度の遅いエッチング液である第3エッチング液を用いて前記量子井戸層をエッチングして活性層を形成する工程と、該活性層の両側に電流ブロック層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
