特許

J-GLOBAL ID：200903060048525456

増幅型固体撮像素子の製法

発明者： 山根 淳二 ,  阿部 秀司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116523
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307089
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 注入イオンの局所的チャネリングを防止して不純物プロファイルを均一とすることにより、固定パターンノイズのない増幅型固体撮像素子の製法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にゲート絶縁膜を介して、ゲート電極となるべき非晶質半導体層を形成する工程と、マスクを介して非晶質半導体層上からのイオン注入により、半導体基板に画素トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、画素トランジスタのゲート電極に対応するパターンに非晶質半導体層をパターニングする工程とを有して増幅型固体撮像素子を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して、ゲート電極となるべき非晶質半導体層を形成する工程と、マスクを介して上記非晶質半導体層上からのイオン注入により、上記半導体基板に画素トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、上記画素トランジスタのゲート電極に対応するパターンに上記非晶質半導体層をパターニングする工程とを有することを特徴とする増幅型固体撮像素子の製法。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/10

FI (6件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 U ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 31/10 E