特許

J-GLOBAL ID：200903060050135010

化学機械的研磨方法

発明者： 川口 明実 ,  西尾 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153949
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004070
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の金属層または絶縁層を化学機械的研磨するに際して、研磨速度を向上させ、さらには研磨後の水洗により容易に被研磨基板上に残存する物質を除去することを目的とする。【解決手段】 酸化効果を持つ固体研磨剤、増粘剤とを含有する化学機械的研磨材料を用いて半導体基板上に形成された金属層または絶縁膜を該化学機械的研磨することにより研磨速度を向上させる。そして、好ましくは化学機械的研磨材料中に発泡剤を添加することにより、研磨後容易に被研磨基板上に残存する物質を除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁層をスラリーを用いて化学機械的に研磨する化学機械的研磨方法であって、前記スラリーに増粘剤、酸化効果を持つ固体研磨剤及び水が含有されていることを特徴とする化学機械的研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 F ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/306 M