特許

J-GLOBAL ID：200903060050202958

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 内田 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011387
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216262
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 SAC注入を用いて自己整合的にコンタクトを形成し電流リークを低減した半導体装置を製造する場合に、製造工程を削減して、製造コストを低減した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 コンタクトホール3および13は、エッチングマスクの形成ずれになどによって、コンタクトホールの形成位置がずれ、分離酸化膜21の端縁部をエッチングするようにコンタクトホールが形成され、さらにオーバーエッチングを起こしている。しかし、デュアルSAC注入により、コンタクトホール3および13を介して、p型不純物PIおよびn型不純物NIが注入され、n型拡散層2の端縁部には、厚みが増したn型拡散層2Bが形成され、p型拡散層12の端縁部にはコンタクトホール13の底面部を覆うp型拡散層12Bが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される構成の異なる第1および第2の領域を備えた半導体装置であって、前記第1の領域は、前記半導体基板の表面内に形成された第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面内に選択的に形成された第2導電型の第1の拡散層と、少なくとも前記第1の拡散層上を覆う層間絶縁膜の第1の部分と、前記層間絶縁膜の第1の部分に選択的に形成され、前記第1の拡散層に達する第1のコンタクトホールとを備え、前記第2の領域は、前記半導体基板の表面内に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の表面内に選択的に形成された第1導電型の第2の拡散層と、少なくとも前記第2の拡散層上を覆う層間絶縁膜の第2の部分と、前記層間絶縁膜の第2の部分に選択的に形成され、前記第2の拡散層に達する第2のコンタクトホールとを備え、前記第1のコンタクトホールの下部の前記第1の拡散層は、部分的に拡散深さが深くなった深部拡散領域を有し、前記第2のコンタクトホールの下部の前記第2の拡散層は、前記第2のコンタクトホールの底面を完全に覆うことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 27/08 321 F ,  H01L 21/28 A ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 N

Fターム (12件)：

4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD06 ,  4M104DD26 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16