特許

J-GLOBAL ID：200903060055761173

酸化物強誘電体薄膜被覆基板の製造方法及び酸化物強誘電体薄膜被覆基板

発明者： 木島 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265635
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164818
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 酸化物強誘電体薄膜の結晶性及び配向性や配向方向を制御可能にすることによって、所望の自発分極や抗電界と分極反転耐性とを併せ持つ酸化物強誘電体薄膜と、その酸化物強誘電体薄膜を得ることを容易にする製造方法とを提供することを目的にしている。【解決手段】 電極で被覆された基板をプリベーキングし、得られた電極上に酸化物強誘電体薄膜を形成することからなる酸化物強誘電体薄膜被覆基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

電極で被覆された基板をプリベーキングし、得られた電極上に酸化物強誘電体薄膜を形成することを特徴とする酸化物強誘電体薄膜被覆基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/30 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/06 L ,  C23C 16/30 ,  H01L 27/10 651