特許

J-GLOBAL ID：200903060058191378

半導体製造装置

発明者： 小島 宏之 ,  木崎原 稔郎 ,  加藤 泰司 ,  本堀 勲 ,  郡山 広久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122503
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 真空排気中に開閉バルブを閉じた際の排気管中のダストの処理室側へ流れ込みを防止する。【構成】 ウエハSの処理室10と、処理室10に排気管13を介して接続された真空ポンプ15と、排気管13に設けられた開閉バルブ14とを備えた半導体製造装置において、処理室10と開閉バルブ14との間の排気管13内に逆止弁20を設ける。この逆止弁20は、複数のバーを、処理室10側から開閉バルブ側14に向けて一定の勾配を有した状態でかつ放射状に形成することにより構成されるものであり、また前記バーは開閉バルブ14が閉じられた際に開閉バルブ14側に向けて気体を吹出すように構成される。

請求項（抜粋）：

ウエハの処理室と、該処理室に排気管を介して接続された真空ポンプと、前記排気管に設けられた開閉バルブとを備えた半導体製造装置において、前記処理室と前記開閉バルブとの間の排気管内に、逆止弁を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 B