特許
J-GLOBAL ID：200903060066945055
プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020794
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 プラズマの偏りを小さくし、以て被処理材の帯電を抑制する。【構成】 処理チャンバ1内において陰極2上に設置された被処理材(半導体ウエハ)4の主面に対して垂直に高周波電界を減圧下で印加し、同時に磁界印加装置8により磁界12を印加することにより、マグネトロン放電によるプラズマを発生させる。この際、被処理材4の主面上において隣合う磁力線が互いに平行にならないように磁界12を形成する。プラズマ中の荷電粒子は、被処理材4の帯電を抑制するように、各々ローレンツ力を受けて発散方向Dにドリフトする。
請求項（抜粋）：
減圧を保持するチャンバ内のガスを電界と磁界とによるマグネトロン放電によってプラズマ化するためのプラズマ発生装置であって、互いの間の空間中のガスを電離させるための電界を前記空間に印加するように前記チャンバ内に設置された少なくとも2つの電極と、前記電極による電界と交叉する方向に、かつ前記空間中のガスから生じた荷電粒子が各々ローレンツ力を受けて互いに発散する方向にドリフトするように、前記空間に磁界を印加するための磁界印加装置とを備えたことを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
