特許

J-GLOBAL ID：200903060073452722

薄膜キャパシタ

発明者： 川久保 隆 ,  阿部 和秀
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-238088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087634
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 大きな残留分極と低い抗電界を持つ強誘電体薄膜キャパシタや、大きな誘電率を持つ常誘電体薄膜キャパシタが求められている。【解決手段】 下部電極2として表面に立方晶系または正方晶系の {001}面または {011}面が現れている導電性材料を用いる。この下部電極2の {001}面または{011}面上に、BaTiO3 を主成分とすると共に、そのBサイト元素のTiをZr、HfおよびSnから選ばれた少なくとも 1種の元素により置換し、室温において斜方晶系または菱面体晶系の結晶構造が安定となる組成を有するペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜3を配向成長させる。これにより、歪んだ斜方晶系もしくは全く新しい単斜晶系のペロブスカイト型結晶構造をもつ誘電体薄膜3とする。

請求項（抜粋）：

下部電極と、前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極とを具備する薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極は表面に立方晶系または正方晶系の {001}面が現れている導電性材料からなり、かつ前記誘電体薄膜は前記下部電極の {001}面上に配向成長していると共に、単斜晶系のペロブスカイト型結晶構造をもつことを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (10件)：

H01L 27/10 451 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 358 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371