特許

J-GLOBAL ID：200903060074591319

溶解Ruターゲット

発明者： 野中 荘平 ,  三島 昭史 ,  三橋 章
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178722
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】 高集積度の半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する際に使用する金属Ru膜またはRuO2 膜を形成するための溶解Ruターゲットを提供する。【解決手段】 純度:99.998%以上のRuからなる溶解Ruターゲットであって、この溶解Ruターゲットに含まれる酸素を0.1〜20ppmに限定した。

請求項（抜粋）：

純度:99.998%以上のRuからなる溶解Ruターゲットであって、この溶解Ruターゲットに含まれる酸素を0.1〜20ppmに限定したことを特徴とする溶解Ruターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  B22F 9/04 ,  C22C 5/04 ,  C22B 9/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  B22F 9/04 C ,  C22C 5/04 ,  C22B 9/22 ,  H01L 27/10 651

Fターム (24件)：

4K001AA41 ,  4K001BA23 ,  4K001CA32 ,  4K001FA13 ,  4K001GA13 ,  4K017BA02 ,  4K017DA01 ,  4K017EF05 ,  4K017FA01 ,  4K029BA02 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC08 ,  5F083AD00 ,  5F083FR01 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR22