特許

J-GLOBAL ID：200903060074864846

多結晶シリコン太陽電池とその製造方法

発明者： 町田 智弘 ,  中彌 浩明 ,  竹田 喜彦 ,  利根川 正 ,  西田 誠
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152030
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022632
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【構成】 鋸刃状断面を有する凹凸面の,凹部はV字断面形状を有したまま凸部先端部のみを滑らかにする。また,この方法として,基板表面に耐酸性レジストを被覆し,V字溝の凸部先端のレジストを除去した後,化学エッチングを行う。【効果】 受光面電極形成時の印刷安定性が増したため,副電極の断線が低減され,曲線因子が改善される。

請求項（抜粋）：

第一導電型の多結晶シリコン基板の片面に,深さ50〜100μmのV字断面形状の溝を平行に多数本形成して設けられた断面鋸刃状の凹凸面を有し,該凹凸面に第二導電型の不純物層が形成され,該凹凸面上に金属ペーストを用いたスクリーン印刷法により魚骨形の受光面電極の副電極がV字溝と直交方向に形成されている太陽電池において,上記凹凸の凹部は上記V字断面を有し,凸部の先端は滑らかな形状を有することを特徴とする多結晶太陽電池。