特許

J-GLOBAL ID：200903060079530997

選択的エピタキシャル成長方法

発明者： 朴正雨 ,  柳宗烈 ,  河定▲みん▼ ,  崔時榮
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224800
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057115
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】選択的エピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】本発明の成長方法では、半導体基板がローディングされたチャンバ内にソースガス、エッチングガス及び還元ガスを順に注入する過程を反復的に実施する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に、前記半導体基板の所定領域を露出させる絶縁層パターンを形成する段階と、前記絶縁層パターンを有する半導体基板を反応チャンバ内部にローディングする段階と、前記反応チャンバ内に、第1時間の間、ソースガスを注入して前記半導体基板の全面に半導体層を形成する段階と、前記チャンバ内に、第2時間の間、エッチングガスを注入して前記絶縁層パターンの表面上の半導体層を選択的に除去する段階と、前記チャンバ内に、第3時間の間、還元ガスを注入して前記露出させた半導体基板上に残存する半導体層の表面に吸着されたエッチングガスの原子を除去する段階とを含み、前記ソースガス、前記エッチングガス及び前記還元ガスを順に注入する段階を少なくとも2回反復的に実施することを特徴とする選択的エピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/04

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/04

Fターム (29件)：

4K030AA03 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AE05 ,  5F045BB01 ,  5F045BB09 ,  5F045DB02 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045HA03