特許

J-GLOBAL ID：200903060081838443

半導体回路

発明者： 常信 和清
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143550
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326540
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 多数のバイポーラトランジスタ、特にHBTを並列に接続してなる半導体回路において、比較的簡易な回路構成で熱暴走の発生を効率的に抑止し、出力電力特性及び歪み特性の向上を図る。【解決手段】 複数のHBT1,2,3,4...が並列接続されてなる半導体回路であり、各HBTの近傍にそれぞれ温度モニタ素子5が配される。温度モニタ素子5は、温度上昇に応じて電流供給能力が増加する性質を有し、その入力端子がバイアス線6に接続されるとともに、その出力端子が当該温度モニタ素子5の近傍に存するHBTと隣接するHBTのべース電極と接続され、HBT1〜4と各々の近傍の各温度モニタ素子5とが熱的に結合している。

請求項（抜粋）：

複数のバイポーラトランジスタが並列接続された半導体回路であって、前記各バイポーラトランジスタの近傍にこれと熱的に結合するように、温度上昇に応じて電流供給能力が増加する性質を有する温度モニタ素子を設け、前記各温度モニタ素子の出力端子は、その近傍に存する前記バイポーラトランジスタとは別の前記バイポーラトランジスタのべース電極又はべース電極と接続されるバイアス回路と接続されていることを特徴とする半導体回路。

IPC (7件)：

H03F 1/30 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H03F 1/32 ,  H03F 1/52 ,  H03F 3/68

FI (6件)：

H03F 1/30 A ,  H03F 1/32 ,  H03F 1/52 Z ,  H03F 3/68 B ,  H01L 27/06 101 P ,  H01L 29/72

Fターム (60件)：

5F003AP08 ,  5F003AZ08 ,  5F003BA22 ,  5F003BF06 ,  5F003BH01 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ90 ,  5F003BJ93 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F082AA04 ,  5F082AA19 ,  5F082BA48 ,  5F082BC03 ,  5F082BC13 ,  5F082BC14 ,  5F082BC15 ,  5F082CA01 ,  5F082CA02 ,  5F082CA03 ,  5F082FA11 ,  5F082FA16 ,  5F082FA20 ,  5J069AA01 ,  5J069AA21 ,  5J069CA02 ,  5J069CA21 ,  5J069HA06 ,  5J069HA25 ,  5J069HA29 ,  5J069HA43 ,  5J069QA03 ,  5J069TA01 ,  5J090AA01 ,  5J090AA21 ,  5J090CA02 ,  5J090CA21 ,  5J090FA16 ,  5J090HA06 ,  5J090HA25 ,  5J090HA29 ,  5J090HA43 ,  5J090HN20 ,  5J090MA19 ,  5J090QA03 ,  5J090TA01 ,  5J091AA01 ,  5J091AA21 ,  5J091CA02 ,  5J091CA21 ,  5J091FA16 ,  5J091HA06 ,  5J091HA25 ,  5J091HA29 ,  5J091HA43 ,  5J091MA19 ,  5J091QA03 ,  5J091TA01