特許
J-GLOBAL ID：200903060085846572
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大胡 典夫
, 竹花 喜久男
, 宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-270489
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111560
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】パワー半導体素子を複数個搭載しパッケージングした、生産性が高く高性能の半導体装置と、その半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】外囲器4の内部に、複数の半導体チップ1が実装されたパワーモジュール基板2と、このパワーモジュール基板2が実装されたリードフレーム3の個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段7が形成されており、また、外囲器4から外部に入出力端子5が延在している。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
トランスファーモールドにより封止された外囲器が形成された半導体装置であって、
前記外囲器の内部には、複数の半導体チップが実装されたパワーモジュール基板と、このパワーモジュール基板が実装されたリードフレームの個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段が形成されており、前記外囲器から外部に入出力端子が延在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L23/40
, H01L21/52
, H01L21/56
, H01L21/60
, H01L23/34
, H01L23/36
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L23/40 F
, H01L21/52 E
, H01L21/56 T
, H01L21/60 321E
, H01L23/34 A
, H01L25/04 C
, H01L23/36 C
, H01L23/36 D
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BB21
, 5F036BC06
, 5F036BE01
, 5F044AA01
, 5F044FF00
, 5F047AA03
, 5F047BA05
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
