特許
J-GLOBAL ID：200903060087927529
成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Tiシリサイド焼結ターゲット材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354413
公開番号（公開出願番号）：特開平7-197246
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Tiシリサイド焼結ターゲット材を提供する。【構成】 スパッタリング用Tiシリサイド焼結ターゲット材が、TiSin(ただし、nはモル比で2〜2.5)の組成式を満足し、かつTi-Si2元状態図で示されるTiSi2 化合物が反応生成相として存在し、このTiSi2 反応生成相中に、同状態図におけるTiSi2 -Si共晶の未反応共晶相が分散分布した組織を有する。
請求項（抜粋）：
TiSin(ただし、nはモル比で2〜2.5)の組成式を満足し、かつTi-Si2元状態図で示されるTiSi2 化合物が反応生成相として存在し、このTiSi2 化合物反応生成相中に、同状態図におけるTiSi2 化合物とSiの共晶からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有することを特徴とする成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Tiシリサイド焼結ターゲット材。
IPC (2件)：
C23C 14/34
, H01L 21/285 301
