特許

J-GLOBAL ID：200903060088079289

絶縁膜の形成方法

発明者： 岩辺 三月
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055277
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227891
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 窒化シリコン膜の突出した部分の端部におけるステップカバレッジを良くし、配線の断線を防止する。【構成】 成膜時に水素濃度を徐々に高くさせて窒化シリコン膜16を形成することにより、窒化シリコン膜16の水素濃度を下層から上層に向かうに従って徐々に高くし、窒化シリコン膜16のエッチレートを下層から上層に向かうに従って徐々に大きくする。そして、窒化シリコン膜16の上面にフォトレジスト17を塗布して露光し、窒化シリコン膜16の突出した端部16aに対応する部分のフォトレジスト17および窒化シリコン膜16の端部16aを連続してエッチングすると、窒化シリコン膜16の上層側のエッチング速度が速いので、フォトレジスト17との界面もエッチングされ、これにより窒化シリコン膜16の端部16aの低テーパ化が図れ、ステップカバレッジが良くなる。

請求項（抜粋）：

成膜時に水素濃度を徐々に高くさせて窒化シリコン膜をその一部を突出させて形成し、エッチング時にエッチングマスクを介して前記窒化シリコン膜の前記突出した部分の端部をエッチングすることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 617 V